Справочник транзисторов. FJV3111R

 

Биполярный транзистор FJV3111R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJV3111R
   Маркировка: R31
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для FJV3111R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJV3111R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:45K  fairchild semi
 fjv3111r.pdf pdf_icon

FJV3111R

FJV3111RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R=22K) Complement to FJV4111R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitMarkingCR31RBNPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramete

 8.1. Size:55K  fairchild semi
 fjv3115r.pdf pdf_icon

FJV3111R

FJV3115RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1=2.2K, R2=10K)2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitMarkingCR1R35BR2NPN Epitaxial Silicon Transistor EAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value U

 8.2. Size:52K  fairchild semi
 fjv3110r.pdf pdf_icon

FJV3111R

FJV3110RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R=10K) Complement to FJV4110R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitMarkingCR30RBNPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramet

 8.3. Size:46K  fairchild semi
 fjv3112r.pdf pdf_icon

FJV3111R

FJV3112RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R=47K) Complement to FJV4112R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitMarkingCR32RBNPN Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramet

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... FJV3103R , FJV3104R , FJV3105R , FJV3106R , FJV3107R , FJV3108R , FJV3109R , FJV3110R , 2SD669 , FJV3112R , FJV3113R , FJV3114R , FJV3115R , FJV4101R , FJV4102R , FJV4103R , FJV4104R .

 

 
Back to Top

 


 
.