Справочник транзисторов. FJV4102R

 

Биполярный транзистор FJV4102R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJV4102R
   Маркировка: R72
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для FJV4102R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJV4102R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  fairchild semi
 fjv4102r.pdf pdf_icon

FJV4102R

FJV4102RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1=10K, R2=10K) Complement to FJV3102R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitCMarkingR1BR72R2PNP Epitaxial Silicon Transistor EAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted

 8.1. Size:52K  fairchild semi
 fjv4109r.pdf pdf_icon

FJV4102R

FJV4109RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R=4.7K) Complement to FJV3109R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitMarkingCR79RBPNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parame

 8.2. Size:56K  fairchild semi
 fjv4107r.pdf pdf_icon

FJV4102R

FJV4107RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R1=22K, R2=47K) Complement to FJV3107R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitMarkingCR1R77BR2PNP Epitaxial Silicon Transistor EAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise note

 8.3. Size:56K  fairchild semi
 fjv4103r.pdf pdf_icon

FJV4102R

FJV4103RSwitching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1=22K, R2=22K) Complement to FJV3103R2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent CircuitCMarkingR1BR73R2PNP Epitaxial Silicon Transistor EAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... FJV3109R , FJV3110R , FJV3111R , FJV3112R , FJV3113R , FJV3114R , FJV3115R , FJV4101R , BC549 , FJV4103R , FJV4104R , FJV4105R , FJV4106R , FJV4107R , FJV4108R , FJV4109R , FJV4110R .

 

 
Back to Top

 


 
.