FJX2222A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJX2222A

Маркировка: S1P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.325 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-323

 Аналоги (замена) для FJX2222A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJX2222A даташит

 ..1. Size:159K  fairchild semi
 fjx2222a.pdf pdf_icon

FJX2222A

May 2010 FJX2222A NPN Epitaxial Silicon Transistor Features General Purpose Transistor Collector-Emitter Voltage VCEO = 40V Collector Dissipation PC (max) = 325mW 3 Marking S1P 2 1 SOT-323 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 75 V VCEO Collector-Emitter V

Другие транзисторы: FJV4110R, FJV4111R, FJV4112R, FJV4113R, FJV4114R, FJV42MTF, FJV992, FJX1182, D667, FJX2907A, FJX3001R, FJX3002R, FJX3003R, FJX3004R, FJX3005R, FJX3006R, FJX3007R