FJX4012R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJX4012R

Маркировка: S62

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-323

 Аналоги (замена) для FJX4012R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJX4012R даташит

 ..1. Size:32K  fairchild semi
 fjx4012r.pdf pdf_icon

FJX4012R

FJX4012R Switching Application (Bias Resistor Built In) 3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47K ) Complement to FJX3012R 2 1 SOT-323 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit C Marking R R62 B PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Paramete

 8.1. Size:32K  fairchild semi
 fjx4011r.pdf pdf_icon

FJX4012R

FJX4011R Switching Application (Bias Resistor Built In) 3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22K ) Complement to FJX3011R 2 1 SOT-323 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit C Marking R S61 B PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Paramete

 8.2. Size:39K  fairchild semi
 fjx4010r.pdf pdf_icon

FJX4012R

FJX4010R Switching Application (Bias Resistor Built In) 3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K ) Complement to FJX3010R 2 1 SOT-323 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit C Marking R S60 B PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Paramete

 8.3. Size:33K  fairchild semi
 fjx4014r.pdf pdf_icon

FJX4012R

FJX4014R Switching Application (Bias Resistor Built In) 3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =4.7K , R2=47K ) Complement to FJX3014R 2 1 SOT-323 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit C Marking R1 B S64 R2 PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise not

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: FJX4004R, FJX4005R, FJX4006R, FJX4007R, FJX4008R, FJX4009R, FJX4010R, FJX4011R, 2N3906, FJX4013R, FJX4014R, FJX733, 2SB1334A, FJY3001R, FJY3002R, FJY3003R, FJY3004R