Биполярный транзистор FJX4012R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FJX4012R
Маркировка: S62
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-323
FJX4012R Datasheet (PDF)
fjx4012r.pdf
FJX4012RSwitching Application (Bias Resistor Built In)3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47K) Complement to FJX3012R21SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitCMarkingRR62 BPNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramete
fjx4011r.pdf
FJX4011RSwitching Application (Bias Resistor Built In)3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22K) Complement to FJX3011R21SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitCMarkingRS61 BPNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramete
fjx4010r.pdf
FJX4010RSwitching Application (Bias Resistor Built In)3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K) Complement to FJX3010R21SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitCMarkingRS60 BPNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramete
fjx4014r.pdf
FJX4014RSwitching Application (Bias Resistor Built In)3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =4.7K, R2=47K) Complement to FJX3014R21SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitCMarkingR1BS64R2PNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise not
fjx4013r.pdf
FJX4013RSwitching Application (Bias Resistor Built In)3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2K, R2=47K) Complement to FJX3013R21SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitCMarkingR1BS63R2PNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise note
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050