Биполярный транзистор FJX4012R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FJX4012R
Маркировка: S62
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-323
FJX4012R Datasheet (PDF)
fjx4012r.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
FJX4012RSwitching Application (Bias Resistor Built In)3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47K) Complement to FJX3012R21SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitCMarkingRR62 BPNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramete
fjx4011r.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
FJX4011RSwitching Application (Bias Resistor Built In)3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22K) Complement to FJX3011R21SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitCMarkingRS61 BPNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramete
fjx4010r.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
FJX4010RSwitching Application (Bias Resistor Built In)3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K) Complement to FJX3010R21SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitCMarkingRS60 BPNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Paramete
fjx4014r.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
FJX4014RSwitching Application (Bias Resistor Built In)3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =4.7K, R2=47K) Complement to FJX3014R21SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitCMarkingR1BS64R2PNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise not
fjx4013r.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
FJX4013RSwitching Application (Bias Resistor Built In)3 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2K, R2=47K) Complement to FJX3013R21SOT-3231. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitCMarkingR1BS63R2PNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise note
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2SA1015 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .