FJY3008R. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FJY3008R
Маркировка: S08
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56
Корпус транзистора: SOT-523F
Аналоги (замена) для FJY3008R
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
FJY3008R даташит
fjy3008r.pdf
July 2007 FJY3008R tm NPN Epitaxial Silicon Transistor Features Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=47K , R2=22K ) Complement to FJY4008R Equivalent Circuit C C S08 E B E B SOT - 523F Absolute Maximum Ratings * Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V V
fjy3002r.pdf
July 2007 FJY3002R tm NPN Epitaxial Silicon Transistor Features Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=10K , R2=10K ) Complement to FJY4002R Equivalent Circuit C C S02 E B E B SOT - 523F Absolute Maximum Ratings * Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V V
fjy3001r.pdf
July 2007 FJY3001R tm NPN Epitaxial Silicon Transistor Features Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K , R2=4.7K ) Complement to FJY4001R Equivalent Circuit C C S01 E B E B SOT - 523F Absolute Maximum Ratings * Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V
fjy3004r.pdf
July 2007 FJY3004R tm NPN Epitaxial Silicon Transistor Features Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=47K , R2=47K ) Complement to FJY4004R Equivalent Circuit C C S04 E B E B SOT - 523F Absolute Maximum Ratings * Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V V
Другие транзисторы: 2SB1334A, FJY3001R, FJY3002R, FJY3003R, FJY3004R, FJY3005R, FJY3006R, FJY3007R, 2SC4793, FJY3009R, FJY3010R, FJY3011R, FJY3012R, FJY3013R, FJY3014R, FJY3015R, FJY4001R
History: CIL149C | SF116
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50









