FJY3011R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJY3011R

Маркировка: S11

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-523F

 Аналоги (замена) для FJY3011R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJY3011R даташит

 ..1. Size:244K  fairchild semi
 fjy3011r.pdf pdf_icon

FJY3011R

July 2007 FJY3011R tm NPN Epitaxial Silicon Transistor Features Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22K ) Complement to FJY4011R Equivalent Circuit C C S11 E B E B SOT - 523F Absolute Maximum Ratings * Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collecto

 8.1. Size:243K  fairchild semi
 fjy3010r.pdf pdf_icon

FJY3011R

July 2007 FJY3010R tm NPN Epitaxial Silicon Transistor Features Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K ) Complement to FJY4010R Equivalent Circuit C C S10 E B E B SOT - 523F Absolute Maximum Ratings * Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collecto

 8.2. Size:254K  fairchild semi
 fjy3014r.pdf pdf_icon

FJY3011R

July 2007 FJY3014R tm NPN Epitaxial Silicon Transistor Features Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K , R2=47K ) Complement to FJY4014R Equivalent Circuit C C S14 E B E B SOT - 523F Absolute Maximum Ratings * Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V

 8.3. Size:252K  fairchild semi
 fjy3013r.pdf pdf_icon

FJY3011R

July 2007 FJY3013R tm NPN Epitaxial Silicon Transistor Features Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2K , R2=47K ) Complement to FJY4013R Equivalent Circuit C C S13 E B E B SOT - 523F Absolute Maximum Ratings * Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: FJY3003R, FJY3004R, FJY3005R, FJY3006R, FJY3007R, FJY3008R, FJY3009R, FJY3010R, BD335, FJY3012R, FJY3013R, FJY3014R, FJY3015R, FJY4001R, FJY4002R, FJY4003R, FJY4004R