Биполярный транзистор FJY3015R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FJY3015R
Маркировка: S15
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 33
Корпус транзистора: SOT-523F
FJY3015R Datasheet (PDF)
fjy3015r.pdf
July 2007FJY3015RtmNPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2K, R2=10K) Equivalent CircuitCCES15 B EBSOT - 523FAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 50 VVCEO Collector-Emitter Vol
fjy3010r.pdf
July 2007FJY3010RtmNPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10K) Complement to FJY4010REquivalent CircuitC CS10 EB EBSOT - 523FAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 40 VVCEO Collecto
fjy3014r.pdf
July 2007FJY3014RtmNPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=47K) Complement to FJY4014REquivalent CircuitC CS14 EB EBSOT - 523FAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 50 V
fjy3013r.pdf
July 2007FJY3013RtmNPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=2.2K, R2=47K) Complement to FJY4013REquivalent CircuitC CS13 EB EBSOT - 523FAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 50 V
fjy3011r.pdf
July 2007FJY3011RtmNPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22K) Complement to FJY4011REquivalent CircuitC CS11 EB EBSOT - 523FAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 40 VVCEO Collecto
fjy3012r.pdf
July 2007FJY3012RtmNPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47K) Complement to FJY4012REquivalent CircuitC CS12 EB EBSOT - 523FAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 40 VVCEO Collecto
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BLW80
History: BLW80
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050