Справочник транзисторов. FJY4001R

 

Биполярный транзистор FJY4001R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FJY4001R
   Маркировка: S51
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: SOT-523F
 

 Аналог (замена) для FJY4001R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJY4001R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  fairchild semi
 fjy4001r.pdf pdf_icon

FJY4001R

July 2007FJY4001RtmPNP Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=4.7K) Complement to FJY3001REquivalent CircuitC CS51 EB EBSOT - 523FAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -50 V

 8.1. Size:249K  fairchild semi
 fjy4004r.pdf pdf_icon

FJY4001R

July 2007FJY4004RtmPNP Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=47K, R2=47K) Complement to FJY3004REquivalent CircuitC CS54 EB EBSOT - 523FAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -50 V

 8.2. Size:250K  fairchild semi
 fjy4005r.pdf pdf_icon

FJY4001R

July 2007FJY4005RtmPNP Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K, R2=10K) Complement to FJY3005REquivalent CircuitC CS55 EB EBSOT - 523FAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -50 V

 8.3. Size:242K  fairchild semi
 fjy4009r.pdf pdf_icon

FJY4001R

July 2007FJY4009RtmPNP Epitaxial Silicon TransistorFeatures Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=4.7K) Complement to FJY3009REquivalent CircuitC CS59 EB EBSOT - 523FAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -40 VVCEO Collec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... FJY3008R , FJY3009R , FJY3010R , FJY3011R , FJY3012R , FJY3013R , FJY3014R , FJY3015R , 2SC1815 , FJY4002R , FJY4003R , FJY4004R , FJY4005R , FJY4006R , FJY4007R , FJY4008R , FJY4009R .

History: DT1621 | MM1139

 

 
Back to Top

 


 
.