FJY4004R. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FJY4004R
Маркировка: S54
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68
Корпус транзистора: SOT-523F
Аналоги (замена) для FJY4004R
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
FJY4004R даташит
fjy4004r.pdf
July 2007 FJY4004R tm PNP Epitaxial Silicon Transistor Features Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=47K , R2=47K ) Complement to FJY3004R Equivalent Circuit C C S54 E B E B SOT - 523F Absolute Maximum Ratings * Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -50 V
fjy4001r.pdf
July 2007 FJY4001R tm PNP Epitaxial Silicon Transistor Features Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K , R2=4.7K ) Complement to FJY3001R Equivalent Circuit C C S51 E B E B SOT - 523F Absolute Maximum Ratings * Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -50 V
fjy4005r.pdf
July 2007 FJY4005R tm PNP Epitaxial Silicon Transistor Features Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K , R2=10K ) Complement to FJY3005R Equivalent Circuit C C S55 E B E B SOT - 523F Absolute Maximum Ratings * Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -50 V
fjy4009r.pdf
July 2007 FJY4009R tm PNP Epitaxial Silicon Transistor Features Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=4.7K ) Complement to FJY3009R Equivalent Circuit C C S59 E B E B SOT - 523F Absolute Maximum Ratings * Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collec
Другие транзисторы: FJY3011R, FJY3012R, FJY3013R, FJY3014R, FJY3015R, FJY4001R, FJY4002R, FJY4003R, BC558, FJY4005R, FJY4006R, FJY4007R, FJY4008R, FJY4009R, FJY4010R, FJY4011R, FJY4012R
History: R8305
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117








