FJYF2906. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJYF2906

Маркировка: S1

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-563F

 Аналоги (замена) для FJYF2906

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJYF2906 даташит

 ..1. Size:141K  fairchild semi
fjyf2906.pdfpdf_icon

FJYF2906

FJYF2906 C1 PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier E1 Collector-Emitter Voltage VCEO = 40V C2 Amplifier and Switching Application E2 is on pin 1 B1 B2 E2 (Pin1) SOT-563F Mark S1 Absolute Maximum Ratings TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VCBO Collector-Base Voltage 40 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V

Другие транзисторы: FJY4007R, FJY4008R, FJY4009R, FJY4010R, FJY4011R, FJY4012R, FJY4013R, FJY4014R, 2SC945, FMB100, FMB200, FMB5551, FMB857B, FMBA06, FMBA14, FMBA56, FMBM5401