FMBA56. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMBA56

Маркировка: 2G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SSOT-6

 Аналоги (замена) для FMBA56

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FMBA56 даташит

 ..1. Size:50K  fairchild semi
 fmba56.pdf pdf_icon

FMBA56

FMBA56 C2 E1 C1 B2 E2 pin #1 B1 SuperSOT -6 Mark .2G Dot denotes pin #1 PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 73. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 80 V VCBO Collector-

Другие транзисторы: FJY4014R, FJYF2906, FMB100, FMB200, FMB5551, FMB857B, FMBA06, FMBA14, D209L, FMBM5401, FMBM5551, FMBS5401, FMBS549, FMBS5551, FMBSA06, FMBSA56, FPN330