Биполярный транзистор FSB560 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FSB560
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SSOT-3 SOT-23
FSB560 Datasheet (PDF)
fsb560.pdf
FSB560 / FSB560ACEB SuperSOTTM-3 (SOT-23) NPN Low Saturation Transistor These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 2A continuous. Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter FSB560/FSB560A Units60 VVCEO Collector-Emitter Voltage80 VVCBO Collector-Base Voltage5 VVEBO E
fsb560 fsb560a.pdf
FSB560 / FSB560ANPN Low-Saturation TransistorFeaturesC These devices are designed with high-current gain and low-saturation voltage with collector currents up to 2 A continuous. EBSuperSOTTM-3 (SOT-23)Ordering InformationPart Number Marking Package Packing MethodFSB560 560 SSOT 3L Tape and ReelFSB560A 560A SSOT 3L Tape and ReelAbsolute Maximum Ratings(1),(2)Stress
fsb560-a.pdf
May 2009FSB560/FSB560ANPN Low Saturation TransistorCFeatures These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with Ecollector currents up to 2A continuous.BAbsolute Maximum Ratings* TA=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 60 VVCBO Collector-Base Voltage 80 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 V
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
