KST4125. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KST4125

Маркировка: ZD

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для KST4125

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KST4125 даташит

 ..1. Size:45K  fairchild semi
kst4125.pdfpdf_icon

KST4125

KST4125 General Purpose Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -30 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -4 V IC Collector Current -200 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Storage

 8.1. Size:44K  fairchild semi
kst4123.pdfpdf_icon

KST4125

KST4123 General Purpose Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 200 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Storage Temp

 8.2. Size:44K  fairchild semi
kst4124.pdfpdf_icon

KST4125

KST4124 General Purpose Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 200 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Storage Temp

 8.3. Size:44K  fairchild semi
kst4126.pdfpdf_icon

KST4125

KST4126 General Purpose Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -25 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-Base Voltage -4 V IC Collector Current -200 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Storage

Другие транзисторы: KSC2784, KSC2881, KSC2883, KSC5019, KSC5042F, KSP5179, KSP94, KST3906, 2SA1943, KST5401, KST5551, MAT02, MMBT2222AK, PN2369A, MMBT2369A, MMBT2907AK, MMBT3702