Справочник транзисторов. MMBTH11

 

Биполярный транзистор MMBTH11 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBTH11
   Маркировка: 3G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MMBTH11

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTH11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  fairchild semi
mpsh11 mmbth11.pdfpdf_icon

MMBTH11

MPSH11 MMBTH11CETO-92CEBBSOT-23Mark: 3GNPN RF TransistorThis device is designed for common-emitter low noise amplifierand mixer applications with collector currents in the 100 A to10 mA range to 300 MHz, and low frequency drift common-base VHF oscillator applications with high output levels fordriving FET mixers. Sourced from Process 47.Absolute Maximum Ratings

 8.1. Size:88K  motorola
mmbth10lt1rev0d.pdfpdf_icon

MMBTH11

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBTH10LT1/DMMBTH10LT1VHF/UHF TransistorCOLLECTORNPN Silicon Motorola Preferred Device31BASE321EMITTER2CASE 318-08, STYLE 6SOT-23 (TO-236AB)MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 25 VdcCollectorBase Voltage VCBO 30 VdcEmitterBase Voltage VEBO 3.0 VdcDEVI

 8.2. Size:738K  fairchild semi
mmbth10 mpsh10.pdfpdf_icon

MMBTH11

MPSH10 MMBTH10CEC TO-92EBBSOT-23Mark: 3ENPN RF TransistorThis device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers,with collector currents in the 100 A to 20 mA range in commonemitter or common base mode of operations, and in low frequencydrift, high output UHF oscillators. Sourced from Process 42.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedS

 8.3. Size:45K  fairchild semi
mmbth10rg.pdfpdf_icon

MMBTH11

MMBTH10RGNPN RF TransistorC This device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers, with collector currents in the 100 A to 20 mA range in common emitter or common base mode of operations, and in low frequency drift, high output UHF oscillators.E Sourced from process 42.SOT-23BMark: 3E1. Base 2. Emitter 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings* Ta=25C un

Другие транзисторы... MMBT2907AK , MMBT3702 , MMBT3904K , MMBT3906K , MMBT4401K , MMBT4403K , MMBT5770 , MMBTH10RG , S8050 , MMBTH34 , MP4501 , MP4504 , MPSW3725 , NTE291 , NTE292 , NZT560 , NZT560A .

History: DBW47 | ZT92 | BC308BP | 2N657S | BSW38 | 2PD602A | BC522C

 

 
Back to Top

 


 
.