NZT6715. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NZT6715
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: SOT-223
Аналоги (замена) для NZT6715
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
NZT6715 даташит
nzt6715 tn6715a.pdf
TN6715A NZT6715 C E C B TO-226 C B SOT-223 E NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.2 A. Sourced from Process 38. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VCBO Collector-Base Voltage 50 V VE
tn6715a nzt6715.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
tn6717a nzt6717.pdf
TN6717A NZT6717 C E C B TO-226 C B SOT-223 E NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.0 A. Sourced from Process 39. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VCBO Collector-Base Voltage 80 V VE
tn6714a nzt6714.pdf
TN6714A NZT6714 C E C B TO-226 C SOT-223 B E NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.5 A. Sourced from Process 37. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VCBO Collector-Base Voltage 40 V V
Другие транзисторы: NZT560, NZT560A, NZT605, NZT651, NZT660, NZT660A, NZT6714, TN6714A, TIP35C, TN6715A, NZT6717, TN6717A, NZT6726, TN6726A, NZT6727, NZT6728, TN6728A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor









