NZT6729. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NZT6729
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: SOT-223
Аналоги (замена) для NZT6729
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
NZT6729 даташит
tn6729a nzt6729.pdf
TN6729A NZT6729 C E C B TO-226 C B SOT-223 E PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 800 mA. Sourced from Process 79. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VCBO Collector-Base Voltage 80 V V
nzt6729.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
nzt6727.pdf
NZT6727 PNP General Purpose Amplifier 4 This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collecor currents to 1.0A. Sourced from process 77. 3 2 1 SOT-223 1. Base 2. Collector 3. Emitter Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage -40 V VCBO Collector-Base
tn6728a nzt6728.pdf
TN6728A NZT6728 C E E C B TO-226 C B SOT-223 E PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.0 A. Sourced from Process 78. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VCBO Collector-Base Voltage 60 V
Другие транзисторы: TN6715A, NZT6717, TN6717A, NZT6726, TN6726A, NZT6727, NZT6728, TN6728A, SS8050, TN6729A, NZT749, NZT751, NZT753, PN3439, PN3440, PU3117, PUA3117
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor





