Справочник транзисторов. UNR111D

 

Биполярный транзистор UNR111D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: UNR111D
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 4.7
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: M-A1
 

 Аналог (замена) для UNR111D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UNR111D Datasheet (PDF)

NO PDF!

Другие транзисторы... UNR1112 , UNR1113 , UNR1114 , UNR1115 , UNR1116 , UNR1117 , UNR1118 , UNR1119 , 2N2907 , UNR111E , UNR111F , UNR111H , UNR111L , UNR1210 , UNR1211 , UNR1212 , UNR1213 .

History: IT127TO71 | MM1558 | BC859BLT1G | BU143 | 2SC2246T3BL | 2SC3450M

 

 
Back to Top

 


 
.