Биполярный транзистор UNR1218 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UNR1218
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: M-A1
UNR1218 Datasheet (PDF)
8.1. Size:263K panasonic
un1210q un1210r un1210s un1211 un1212 un1213 un1214 un1215q un1215r un1215s un1216q un1216r un1216s un1217q un1217r un1217s unr1210.pdf
un1210q un1210r un1210s un1211 un1212 un1213 un1214 un1215q un1215r un1215s un1216q un1216r un1216s un1217q un1217r un1217s unr1210.pdf
Transistors with built-in ResistorUNR1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/1219/1210/121D/121E/121F/121K/121L(UN1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/1219/1210/Unit: mm121D/121E/121F/121K/121L)2.50.16.90.1(1.0)(1.5)(1.5)Silicon NPN epitaxial planar transistorR 0.9For digital circuitsR 0.7Features Costs can be reduced through downsizing of the equipment
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050