KN4L3Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KN4L3Z

Маркировка: F7

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-75 USM

 Аналоги (замена) для KN4L3Z

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KN4L3Z даташит

 9.1. Size:379K  nec
 kn4a3 kn4a4 kn4f3 kn4f4 kn4l3 kn4l4.pdf pdf_icon

KN4L3Z

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR KN4xxx RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR FEATURES PACKAGE DRAWING (Unit mm) Compact package 0.3 +0.1 0 +0.1 Resistors built-in type 0.15 0.05 Complementary to KA4xxx 3 0 to 0.1 ORDERING INFORMATION 21 PART NUMBER PACKAGE 0.2+0.1 0 KN4xxx SC-75 (USM) 0.6 0.5 0.5 0.75 0.05 1.0 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25

Другие транзисторы: 2SB1578, NTE107, 2SC5929, KN4A4M, KN4F4M, KN4L4M, KN4L3M, KN4L3N, BC557, KN4A3Q, KN4A4P, KN4F4N, KN4L4L, KN4A4Z, KN4F4Z, KN4L4Z, KN4F3M