Биполярный транзистор STC503F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: STC503F
Маркировка: C503
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SOT-89
STC503F Datasheet (PDF)
stc503f.pdf
STC503FNPN Silicon TransistorPIN Connection Applications Power amplifier application High current switching application Features Power Transistor General Purpose application Low saturation voltage : VCE(sat)=0.4V Typ. SOT-89 High Voltage : VCEO=65V Min. Ordering Information Type NO. Marking Package Code C503 STC503F SOT-89 YWW Absolute Ma
stc503d.pdf
STC503DNPN Silicon TransistorApplications PIN Connection Power amplifier application High current switching application Features Power Transistor General Purpose application Low saturation voltage : VCE(sat)=0.4V Typ. High Voltage : VCEO=65V Min. TO-252 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STC503D STC503 TO-252Absolute Maximum
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050