Биполярный транзистор STD1408PI - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: STD1408PI
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TO-220F
Аналоги (замена) для STD1408PI
STD1408PI Datasheet (PDF)
std1408pi.pdf
STD1408PI NPN Silicon Transistor Features Low saturation switching application Power amplifier Collector High Voltage : V =80V Min. CEO2 Complement to STB1017PI BaseBase11EmitterOrdering Information 31 2 3 Part Number Marking Package TO-220F-3L STD1408PI STD1408 TO-220F-3L Marking Information Column 1 = Manufacturer Logo Column 2 =
std140n6f7.pdf
STD140N6F7DatasheetN-channel 60 V, 3.1 m typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codeTABSTD140N6F7 60 V 3.8 m 80 A 134 W321 Among the lowest RDS(on) on the marketDPAK Excellent FoM (figure of merit) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunityD(2, TAB) High avalanche ruggednessApplications Switc
std140n6f7.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor STD140N6F7FEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol
stb14nm50n std14nm50n stp14nm50n stf14nm50n.pdf
STB14NM50N, STD14NM50NSTF14NM50N, STP14NM50NN-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmesh II Power MOSFETin DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FPFeaturesVDSS @ RDS(on) Type ID3TJmax max13STB14NM50N2DPAK1STD14NM50N550 V
stb14nm50n std14nm50n stf14nm50n stp14nm50n.pdf
STB14NM50N, STD14NM50NSTF14NM50N, STP14NM50NN-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmeshTM II Power MOSFETin DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FPFeaturesVDSS @ RDS(on) Type ID3TJmax max13STB14NM50N2DPAK1STD14NM50N550 V
std14nm50n.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor STD14NM50NFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050