STD1408PI. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STD1408PI
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120
Корпус транзистора: TO-220F
Аналоги (замена) для STD1408PI
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
STD1408PI даташит
std1408pi.pdf
STD1408PI NPN Silicon Transistor Features Low saturation switching application Power amplifier Collector High Voltage V =80V Min. CEO 2 Complement to STB1017PI Base Base 1 1 Emitter Ordering Information 3 1 2 3 Part Number Marking Package TO-220F-3L STD1408PI STD1408 TO-220F-3L Marking Information Column 1 = Manufacturer Logo Column 2 =
std140n6f7.pdf
STD140N6F7 Datasheet N-channel 60 V, 3.1 m typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package Features VDS RDS(on) max. ID PTOT Order code TAB STD140N6F7 60 V 3.8 m 80 A 134 W 3 2 1 Among the lowest RDS(on) on the market DPAK Excellent FoM (figure of merit) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity D(2, TAB) High avalanche ruggedness Applications Switc
std140n6f7.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor STD140N6F7 FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vol
stb14nm50n std14nm50n stp14nm50n stf14nm50n.pdf
STB14NM50N, STD14NM50N STF14NM50N, STP14NM50N N-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FP Features VDSS @ RDS(on) Type ID 3 TJmax max 1 3 STB14NM50N 2 DPAK 1 STD14NM50N 550 V
Другие транзисторы: STD13005, STD13005F, STD13005FC, STD13005IS, STD13007, STD13007F, STD13007FC, STD13007P, TIP32C, STD5915, STD882D, SUT041, SUT041C, SUT041G, SUT061G, SUT121G, SUT161G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor




