SRA2219E. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SRA2219E
Маркировка: CR
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: SOT-523
Аналоги (замена) для SRA2219E
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
SRA2219E даташит
sra2219e.pdf
SRA2219E PNP Silicon Transistor PIN Connection Descriptions OUT Switching application Interface circuit and driver circuit application OUT IN Features COMMON IN R1 With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and R1 R2 R2 manufacturing process High packing density 4.7K 10K COMMON Ordering Inform
sra2219ef.pdf
SRA2219EF PNP Silicon Transistor PIN Connection Descriptions OUT Switching application Interface circuit and driver circuit application OUT IN Features IN R1 COMMON With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and R1 R2 R2 manufacturing process High packing density 4.7K 10K COMMON Ordering Infor
sra2219.pdf
SRA2219 PNP Silicon Transistor PIN Connection Descriptions 2. OUT Switching application Interface circuit and driver circuit application Features 3. IN R1 With built-in bias resistors 1 2 3 Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and R2 manufacturing process R1 R2 High packing density 4.7K 10K 1. COMMON Ordering Informati
sra2219s.pdf
SRA2219S PNP Silicon Transistor Descriptions OUT Switching application OUT Interface circuit and driver circuit application IN R1 Features With built-in bias resistors IN COMMON Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process R2 R1 R2 High packing density 4.7K 10K Ordering Information SOT-23 Part
Другие транзисторы: SRA2212E, SRA2212EF, SRA2212M, SRA2212S, SRA2212SF, SRA2212U, SRA2212UF, SRA2219, 2N2907, SRA2219EF, SRA2219M, SRA2219S, SRA2219SF, SRA2219U, SRA2219UF, SRC1201, SRC1201E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor








