Биполярный транзистор 2N1216 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1216
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 120 °C
Корпус транзистора: TO5
2N1216 Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N1210-1 , 2N1211 , 2N1211-1 , 2N1212 , 2N1212-1 , 2N1213 , 2N1214 , 2N1215 , NJW0281G , 2N1217 , 2N1218 , 2N1219 , 2N122 , 2N1220 , 2N1221 , 2N1222 , 2N1223 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050