Справочник транзисторов. BC807F

 

Биполярный транзистор BC807F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BC807F
   Маркировка: LA
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BC807F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  auk
bc807f.pdfpdf_icon

BC807F

BC807FPNP Silicon TransistorDescriptions PIN Connection High current application Switching application 3 Features 1 Suitable for AF-Driver stage and low power output stages 2 SOT-23F Complementary Pair with BC817F Ordering Information Type NO. Marking Package Code LA BC807F SOT-23F Device Code hFE Rank Year&

 9.1. Size:90K  motorola
bc807-16 bc807–25 bc807–40.pdfpdf_icon

BC807F

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC80716LT1/DBC807-16LT1General Purpose TransistorsPNP SiliconBC807-25LT1COLLECTOR3BC807-40LT12BASE13EMITTERMAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value Unit2CollectorEmitter Voltage VCEO 45 VCollectorBase Voltage VCBO 50 V CASE 31808, STYLE 6SOT23 (TO236AB)EmitterBase Voltag

 9.2. Size:52K  philips
bc807 3.pdfpdf_icon

BC807F

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088BC807PNP general purpose transistor1999 Apr 08Product specificationSupersedes data of 1997 Feb 28Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor BC807FEATURES PINNING High current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector

 9.3. Size:123K  philips
bc807ds.pdfpdf_icon

BC807F

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D302BC807DSPNP general purpose double transistorProduct data sheet 2002 Nov 22Supersedes data of 2002 Aug 09NXP Semiconductors Product data sheetPNP general purpose double transistor BC807DSFEATURES QUICK REFERENCE DATA High current (500 mA)SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT 600 mW total power dissipationVCEO colle

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: AC141 | D45VH4 | BCW60RD | MPS6511 | BC817-40 | PBSS305ND | ERS375

 

 
Back to Top

 


 
.