Справочник транзисторов. DN030

 

Биполярный транзистор DN030 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: DN030
   Маркировка: DNO30
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для DN030

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DN030 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  auk
 dn030.pdf pdf_icon

DN030

DN030NPN Silicon TransistorFeatures PIN Connection Extremely low collector-to-emitter Csaturation voltage ( VCE(SAT)= 0.1V Typ. @IC/IB=100mA/10mA) Suitable for low voltage large current drivers B Complementary pair with DP030 Switching Application E TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code DN030 DNO30 TO-92 Absolute maximum

 0.1. Size:291K  auk
 dn030u.pdf pdf_icon

DN030

DN030UNPN Silicon TransistorFeatures PIN Connection Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)= 0.1V Typ. @IC/IB=100mA/10mA) Suitable for low voltage large current drivers 3 Complementary pair with DP030U Switching Application 1 2SOT-323 Ordering Information Type NO. Marking Package Code NO1 DN030U SOT-323F

 0.2. Size:262K  auk
 dn030s.pdf pdf_icon

DN030

DN030SNPN Silicon TransistorFeatures PIN Connection Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)= 0.1V Typ. @IC/IB=100mA/10mA) 3 Suitable for low voltage large current drivers Complementary pair with DP030S 1 Switching Application 2SOT-23F Ordering InformationType NO. Marking Package Code N01 DN030S SOT-23F

 0.3. Size:53K  auk
 dn030e.pdf pdf_icon

DN030

DN030ESemiconductorSemiconductorNPN Silicon TransistorFeatures Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)= 0.1V Typ. @IC/IB=100mA/10mA) Suitable for low voltage large current drivers Complementary pair with DP030E Switching ApplicationOrdering InformationType NO. Marking Package Code DN030E N01 SOT-523FOutline Dimensions unit : mm

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BC856F , BC856UF , BC857F , BC857U , BC857UF , BC858F , BC858U , BC858UF , B647 , DN030E , DN030S , DN030U , DN050 , DN050S , DN100 , DN100S , DN200 .

History: MT4S03A | 2SD1414

 

 
Back to Top

 


 
.