Биполярный транзистор 2N1217 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1217
Тип материала: Ge
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO22
2N1217 Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N1211 , 2N1211-1 , 2N1212 , 2N1212-1 , 2N1213 , 2N1214 , 2N1215 , 2N1216 , B647 , 2N1218 , 2N1219 , 2N122 , 2N1220 , 2N1221 , 2N1222 , 2N1223 , 2N1224 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050