DN500P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DN500P

Маркировка: N5

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SOT-223

 Аналоги (замена) для DN500P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DN500P даташит

 ..1. Size:51K  auk
 dn500p.pdf pdf_icon

DN500P

DN500P Semiconductor Semiconductor NPN Silicon Transistor Description Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)=0.2V Typ. @IC/IB=3A/150mA) Suitable for low voltage large current drivers Complementary pair with DP500P Switching Application Ordering Information Type NO. Marking Package Code DN500P N5 SOT-223 monthly code

 9.1. Size:51K  auk
 dn500.pdf pdf_icon

DN500P

DN500 Semiconductor Semiconductor NPN Silicon Transistor Description Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)=0.2V Typ. @IC/IB=3A/150mA) Suitable for low voltage large current drivers Complementary pair with DP500 Switching Application Ordering Information Type NO. Marking Package Code DN500 DN500 TO-92 Outline Dimensions un

Другие транзисторы: DN050, DN050S, DN100, DN100S, DN200, DN200F, DN500, DN500F, BDT88, DP030, DP030E, DP030S, DP030U, DP100, DP100S, DP500, DP500F