DP030E. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DP030E
Маркировка: P01
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: SOT-523
Аналоги (замена) для DP030E
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DP030E даташит
dp030e.pdf
DP030E Semiconductor Semiconductor PNP Silicon Transistor Features Extremely low collector-to-emitter saturation voltage ( VCE(SAT)= -0.15V Typ. @IC/IB=-100mA/-10mA) Suitable for low voltage large current drivers Complementary pair with DN030E Switching Application Ordering Information Type NO. Marking Package Code DP030E P01 SOT-523F Outline Dimensions unit
fdp030n06.pdf
June 2009 FDP030N06 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 193A, 3.2m Features Description RDS(on) = 2.6m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon- ductor s advanced PowerTrench process that has been espe- Fast Switching Speed cially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
fdp030n06b f102.pdf
November 2013 FDP030N06B_F102 N-Channel PowerTrench MOSFET 60 V, 195 A, 3.1 m Features Description RDS(on) = 2.67 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 100 A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon- ductor s advanced PowerTrench process that has been tai- Low FOM RDS(on) * QG lored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching perfor
fdp030n06.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие транзисторы: DN100, DN100S, DN200, DN200F, DN500, DN500F, DN500P, DP030, BC547, DP030S, DP030U, DP100, DP100S, DP500, DP500F, DP500P, MMBT3904EF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740








