NT332. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NT332

Маркировка: P

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT-923

 Аналоги (замена) для NT332

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NT332 даташит

 ..1. Size:280K  auk
 nt332.pdf pdf_icon

NT332

NT332 PNP Silicon Transistor PIN Connection Description General small signal amplifier Features 3 Low collector saturation voltage VCE(sat)=-0.15V(Max.) 1 Extremely small size package 0.8x0.6x0.4 Typ. 2 Complementary pair with NT331 SOT-923 Ordering Information Type NO. Marking Package Code NT332 P SOT-923 hFE rank Absolute Maxim

Другие транзисторы: DP100, DP100S, DP500, DP500F, DP500P, MMBT3904EF, MMBT3906EF, NT331, BC548, SBC327, SBC328, SBC337, SBC338, SBC546, SBC547, SBC548, SBC556