Биполярный транзистор SBT5401 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SBT5401
Маркировка: NFN
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT-23
SBT5401 Datasheet (PDF)
sbt5401.pdf
SBT5401PNP Silicon TransistorDescription PIN Connection General purpose amplifier High voltage application Features C High collector breakdown voltage : BVCBO = -160V, VCEO = -160V Low collector saturation voltage : EVCE(sat)=-0.5V(MAX.) SOT-23 Complementary pair with SBT5551 Ordering Information Type NO. Marking Package Code NFN
sbt5401f.pdf
SBT5401FPNP Silicon TransistorDescription PIN Connection General purpose amplifier High voltage application 3 Features High collector breakdown voltage : 1 VCBO = -160V, VCEO = -160V Low collector saturation voltage : 2VCE(sat)=-0.5V(MAX.) SOT-23F Complementary pair with SBT5551F Ordering Information Type NO. Marking Package Code NFN
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
