Биполярный транзистор SBT5401 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SBT5401
Маркировка: NFN
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT-23
SBT5401 Datasheet (PDF)
sbt5401.pdf
SBT5401PNP Silicon TransistorDescription PIN Connection General purpose amplifier High voltage application Features C High collector breakdown voltage : BVCBO = -160V, VCEO = -160V Low collector saturation voltage : EVCE(sat)=-0.5V(MAX.) SOT-23 Complementary pair with SBT5551 Ordering Information Type NO. Marking Package Code NFN
sbt5401f.pdf
SBT5401FPNP Silicon TransistorDescription PIN Connection General purpose amplifier High voltage application 3 Features High collector breakdown voltage : 1 VCBO = -160V, VCEO = -160V Low collector saturation voltage : 2VCE(sat)=-0.5V(MAX.) SOT-23F Complementary pair with SBT5551F Ordering Information Type NO. Marking Package Code NFN
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050