Биполярный транзистор STD123SF - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: STD123SF
Маркировка: 123
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
Корпус транзистора: SOT23
STD123SF Datasheet (PDF)
std123sf.pdf
STD123SFSemiconductor Semiconductor NPN Silicon TransistorFeatures Low saturation medium current application Extremely low collector saturation voltage Suitable for low voltage large current drivers High DC current gain and large current capability Low on resistance : RON=0.6(Max.) (IB=1mA) Ordering Information Type NO. Marking Package Code S
std123s.pdf
STD123S NPN Silicon Transistor Features Low saturation medium current application Extremely low collector saturation voltage COLLECTOR3 Suitable for low voltage large current drivers 3 High DC current gain and large current capability 1 Low on resistance : R =0.6(Max.) (I =1mA) ON BBASEOrdering Information 2EMITTERPart Number Marking P
std123s.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors STD123S TRANSISTOR (NPN)SOT-23 FEATURES Low saturation medium current application1. BASE Extremely low collector saturation voltage2. EMITTER Suitable for low voltage large current drivers3. COLLECTOR High DC current gain and large current capability Low on resistance : RON=0.6(M
std123s.pdf
STD1 23STRANSISTOR(NPN)SOT-23 FEATURES Low saturation medium current application 1. BASE Extremely low collector saturation voltage 2. EMITTER Suitable for low voltage large current drivers 3. COLLECTOR High DC current gain and large current capability Low on resistance : RON=0.6(Max.) (IB=1mA) Marking:123 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted)
std123s.pdf
STD123S SOT-23 Transistor(NPN)SOT-231. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features Low saturation medium current application Extremely low collector saturation voltage Suitable for low voltage large current drivers High DC current gain and large current capability Low on resistance : RON=0.6(Max.) (IB=1mA) Marking:123 Dimensions in inches and (millimeters)MA
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050