SUT507EF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SUT507EF

Маркировка: 6X

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT-563F

 Аналоги (замена) для SUT507EF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SUT507EF даташит

 ..1. Size:287K  auk
 sut507ef.pdf pdf_icon

SUT507EF

SUT507EF Epitaxial planar NPN silicon transistor Description Complex type bipolar transistor Feature Very small package save PCB area Reduce quantity of parts and mounting cost Two 2SC5343 chips in SOT-563F package Package SOT-563F Ordering Information Type NO. Marking Package Code SUT507EF SOT-563F 6X Year & Week Code Equivalent circuit

 9.1. Size:328K  auk
 sut509ef.pdf pdf_icon

SUT507EF

SUT509EF Epitaxial planar NPN/PNP silicon transistor Description Complex type bipolar transistor Feature Very small package save PCB area Reduce quantity of parts and mounting cost Both 2SA1980 chip and 2SC5343 chip in SOT-563F package Package SOT-563F Ordering Information Type NO. Marking Package Code SUT509EF SOT-563F 3X Year & Week Code

Другие транзисторы: SUT483J, SUT484J, SUT485J, SUT486J, SUT487J, SUT488J, SUT495J, SUT497H, 2SD718, SUT509EF, SUT510EF, SUT562EF, SUT575EF, 4124, 4126, 4128, 5302