SUT575EF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SUT575EF

Маркировка: NX

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300(350) MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3(4) pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT-563F

 Аналоги (замена) для SUT575EF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SUT575EF даташит

 ..1. Size:340K  auk
 sut575ef.pdf pdf_icon

SUT575EF

SUT575EF Epitaxial planar NPN/PNP silicon transistor Description Complex type bipolar transistor Feature Very small package save PCB area Reduce quantity of parts and mounting cost Both DN030 chip and DP030 chip in SOT-563F package Package SOT-563F Ordering Information Type NO. Marking Package Code NX SUT575EF SOT-563F Year & Week Code Equ

Другие транзисторы: SUT487J, SUT488J, SUT495J, SUT497H, SUT507EF, SUT509EF, SUT510EF, SUT562EF, S9014, 4124, 4126, 4128, 5302, 13002AH, 13003ADA, 13003BS, 13003DE