Биполярный транзистор SUT575EF - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SUT575EF
Маркировка: NX
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300(350) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3(4) pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT-563F
SUT575EF Datasheet (PDF)
..1. Size:340K auk
sut575ef.pdf
sut575ef.pdf
SUT575EFEpitaxial planar NPN/PNP silicon transistorDescription Complex type bipolar transistor Feature Very small package save PCB area Reduce quantity of parts and mounting cost Both DN030 chip and DP030 chip in SOT-563F package Package : SOT-563F Ordering Information Type NO. Marking Package Code NX SUT575EF SOT-563F : Year & Week Code Equ
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050