4128D. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 4128D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8
Корпус транзистора: TO-126
Аналоги (замена) для 4128D
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
4128D даташит
4128d.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 4128D Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MIDDLING VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 1 DESCRIPTION The UTC 4128D is a middling voltage NPN power transistor. it TO-126 uses UTC s advanced technology to provide customers with high switching speed and high reliability, etc. The UTC 4128D is suitable for commonly power amplif
si4128dy.pdf
New Product Si4128DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.024 at VGS = 10 V 10.9 TrenchFET Power MOSFET 30 3.8 nC 100 % Rg Tested 0.030 at VGS = 4.5 V 9.7 APPLICATIONS Notebook PC - System Power - Load Switch SO-8 S 1 8 D
Другие транзисторы: 13005EC, 2SA1627A, 2SC5027E, 2SC5353B, 2SC5889, 2SD2470, 4124D, 4126D, SS8050, 5302D, C6084, D4120P, D65H2, HJ44H11, MJE13001, MJE13001P, MJE13002-E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c


