DTA113T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTA113T  📄📄 

Маркировка: AB3T

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DTA113T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTA113T даташит

 ..1. Size:171K  utc
dta113t.pdfpdf_icon

DTA113T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD DTA113T PNP SILICON TRANSISTOR PNP DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS) FEATURES * Built-in bias resistors that implies easy ON/OFF applications. * The bias resistors are thin-film resistors with complete isolation to allow positive input. EQUIVALENT CIRCUIT ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing

 0.1. Size:44K  rohm
dta113tka dtc123tka.pdfpdf_icon

DTA113T

DTA113TKA Transistors Transistors DTC123TKA (SPEC-A113T) (SPEC-C123T) 467

 0.2. Size:760K  rohm
dta113tka.pdfpdf_icon

DTA113T

DTA113TKA Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value SMT3 VCEO -50V IC -100mA R1 1k SOT-346(SC-59) lFeatures lInner circuit l l 1) Built-In Biasing Resistor 2) Built-in bias resistors enable the configuration of an in

 0.3. Size:44K  rohm
dta113tka 91 sot346.pdfpdf_icon

DTA113T

DTA113T Transistors Transistors DTC123T (SPEC-

Другие транзисторы: 8550S, B772SS, HE8551, MMBT1015, MMBT9012, MMBT9015, MP2510, MPSA92M, A1941, DTA114E, DTA114T, DTA114W, DTA114Y, DTA115E, DTA115T, DTA123E, DTA123J