DTA114E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTA114E

Маркировка: AB4E

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO-92 TO-92SP SOT-23 SOT-323 SOT-523

 Аналоги (замена) для DTA114E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTA114E даташит

 ..1. Size:232K  utc
dta114e.pdfpdf_icon

DTA114E

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD DTA114E PNP SILICON TRANSISTOR DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS) 1 1 FEATURES TO-92SP TO-92 * Built-in Bias Resistors that Implies Easy ON/OFF Applications. * The Bias Resistors are Thin-Film Resistors with Complete Isolation 3 3 3 to Allow Positive Input. EQUIVALENT CIRCUIT 1 1 1 2 2 2 SOT-23 SOT-323 SOT-523 ORDER

 ..2. Size:265K  gsme
dta114e.pdfpdf_icon

DTA114E

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMDTA114E DESCRIPTION&EQUIVALENT CIRCUIT DESCRIPTION&EQUIVALENT CIRCUIT DESCRIPTION&EQUIVALENT CIRCUIT PNP DIGITAL TRANSISTOR(BUILT-IN RESISTORS) ( ) MAXIMUM RATIN

 ..3. Size:231K  first silicon
dta114e.pdfpdf_icon

DTA114E

SEMICONDUCTOR DTA114E TECHNICAL DATA Bias Resistor Transistor PNP Silicon Surface Mount Transistor B with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single K device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network DIM MILLIMETERS A 3.25 MAX resi

 0.1. Size:58K  motorola
pdta114eu 6.pdfpdf_icon

DTA114E

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTA114EU PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Product specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA114EU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 10 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design

Другие транзисторы: B772SS, HE8551, MMBT1015, MMBT9012, MMBT9015, MP2510, MPSA92M, DTA113T, TIP31C, DTA114T, DTA114W, DTA114Y, DTA115E, DTA115T, DTA123E, DTA123J, DTA123Y