MJE13003HT - описание и поиск аналогов

 

MJE13003HT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJE13003HT

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO126 TO126S TO251 TO251S TO252 TO92 TO92S

 Аналоги (замена) для MJE13003HT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE13003HT даташит

 ..1. Size:212K  sisemi
mje13003ht 1.pdfpdf_icon

MJE13003HT

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification MJE NPN / MJE NPN SERIES TRANSISTORS MJE13003HT MJE NPN / MJE NPN SERIES TRANSISTORS MJE13003HT MJ

 ..2. Size:550K  sisemi
mje13003ht.pdfpdf_icon

MJE13003HT

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification MJE NPN / MJE NPN SERIES TRANSISTORS MJE13003HT MJE NPN / MJE NPN SERIES TRANSISTORS MJE13003HT MJ

 5.1. Size:41K  kec
mje13003hv.pdfpdf_icon

MJE13003HT

SEMICONDUCTOR MJE13003HV TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR SWITCHING REGULATOR APPLICATION. A HIGH VOLTAGE AND HIGH SPEED B D C SWITCHING APPLICATION. E F FEATURES Excellent Switching Times G ton=1.1 S(Typ.), tf=0.7 S(Typ.), at IC=1A H High Collector Voltage VCBO=900V. DIM MILLIMETERS J A 8.3 MAX K B 5.8 L C 0.7 _ + D 3.2 0.1 E 3.5 _ + F 11.0 0.3

 5.2. Size:195K  foshan
mje13003h1.pdfpdf_icon

MJE13003HT

MJE13003H1(3DD13003H1) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose High frequency electronic lighting ballast applications converters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit VCBO 600 V VCEO

Другие транзисторы: BLD139D, BLD139DL, BLD155DL, BLDB128D, BUL68H5T, MJE13001AH, MJE13001H, MJE13002AHT, 2N2222, LB120A3, 2N4401A3, 2N4403A3, BC517A3, BC807N3, BC817N3, BC847N3, BCP53L3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.