Справочник транзисторов. BC807N3

 

Биполярный транзистор BC807N3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BC807N3
   Маркировка: 9F
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BC807N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  cystek
bc807n3.pdfpdf_icon

BC807N3

Spec. No. : C905N3 Issued Date : 2003.07.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2005.05.10 Page No. : 1/4 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BC807N3Description The BC807N3 is designed for general purpose switching and amplification applications. It is housed in the SOT-23/SC-59 package which is designed for low power surface mount applications. Low

 9.1. Size:90K  motorola
bc807-16 bc807–25 bc807–40.pdfpdf_icon

BC807N3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC80716LT1/DBC807-16LT1General Purpose TransistorsPNP SiliconBC807-25LT1COLLECTOR3BC807-40LT12BASE13EMITTERMAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value Unit2CollectorEmitter Voltage VCEO 45 VCollectorBase Voltage VCBO 50 V CASE 31808, STYLE 6SOT23 (TO236AB)EmitterBase Voltag

 9.2. Size:52K  philips
bc807 3.pdfpdf_icon

BC807N3

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088BC807PNP general purpose transistor1999 Apr 08Product specificationSupersedes data of 1997 Feb 28Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor BC807FEATURES PINNING High current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector

 9.3. Size:123K  philips
bc807ds.pdfpdf_icon

BC807N3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D302BC807DSPNP general purpose double transistorProduct data sheet 2002 Nov 22Supersedes data of 2002 Aug 09NXP Semiconductors Product data sheetPNP general purpose double transistor BC807DSFEATURES QUICK REFERENCE DATA High current (500 mA)SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT 600 mW total power dissipationVCEO colle

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: 2N3209XCSM | 2SC410A | D33J29 | AC404 | 2N363 | FXT553SM | BF391P

 

 
Back to Top

 


 
.