BTA1210E3 - описание и поиск аналогов

 

BTA1210E3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTA1210E3

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO220AB

 Аналоги (замена) для BTA1210E3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTA1210E3 даташит

 ..1. Size:224K  cystek
 bta1210e3.pdf pdf_icon

BTA1210E3

Spec. No. C656E3 Issued Date 2004.06.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.10.11 Page No. 1/5 PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1210E3 Description The BTA1210E3 is a PNP Darlington transistor, designed for use in general purpose amplifier and low speed switching application. Features High BV CEO High DC current gain High current capability

 7.1. Size:157K  cystek
 bta1210f3.pdf pdf_icon

BTA1210E3

Spec. No. C656F3 Issued Date 2007.02.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2007.12.18 Page No. 1/5 PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1210F3 Description The BTA1210F3 is a PNP Darlington transistor, designed for use in general purpose amplifier and low speed switching application. Features High BV CEO High DC current gain High current capability

 7.2. Size:323K  cystek
 bta1210j3.pdf pdf_icon

BTA1210E3

Spec. No. C656J3 Issued Date 2004.05.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.12.08 Page No. 1/7 PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -120V BTA1210J3 IC -10A RCESAT 270m Description The BTA1210J3 is a PNP Darlington transistor, designed for use in general purpose amplifier and low speed switching application. Features High BV CEO High DC curr

 7.3. Size:266K  cystek
 bta1210fp.pdf pdf_icon

BTA1210E3

Spec. No. C656FP Issued Date 2005.03.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.17 Page No. 1/6 PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1210FP Description The BTA1210FP is a PNP Darlington transistor, designed for use in general purpose amplifier and low speed switching application. Features High BV CEO High DC current gain High current capability

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BTA684K3, BTA733A3, BTA928AK3, BTA1013K3, BTA1020K3, BTA1036N3, BTA1036S3, BTA1037N3, 2N2222A, BTA1210F3, BTA1210FP, BTA1210J3, BTA1210T3, BTA1270A3, BTA1300A3, BTA1514M3, BTA1514N3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.