BTA1759A3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTA1759A3

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BTA1759A3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTA1759A3 даташит

 ..1. Size:233K  cystek
 bta1759a3.pdf pdf_icon

BTA1759A3

Spec. No. C309A3-R Issued Date 2003.10.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.06.14 Page No. 1/6 High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1759A3 Description High breakdown voltage. (BV =-400V) CEO Low saturation voltage, typical V = -0.2V at Ic / I = -20mA /-2mA. CE(sat) B Wide SOA (safe operation area). Complementary to BTC4505A3.

 7.1. Size:258K  cystek
 bta1759n3.pdf pdf_icon

BTA1759A3

Spec. No. C309N3 Issued Date 2003.05.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.10.19 Page No. 1/6 High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -400V BTA1759N3 IC -0.3A VCESAT(TYP) -0.08V Description High breakdown voltage. (BV =-400V) CEO Low saturation voltage, typical V =-0.2V at Ic/I =-20mA/-2mA. CE(sat) B Wide SOA (safe operation area).

 9.1. Size:323K  cystek
 bta1774c3.pdf pdf_icon

BTA1759A3

Spec. No. C306C3 Issued Date 2004.03.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.11 Page No. 1/8 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1774C3 Description The BTA1774C3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. High HFE and excellent linearity Complementary to BTC4617C3. Pb-free lead pla

 9.2. Size:262K  cystek
 bta1797m3.pdf pdf_icon

BTA1759A3

Spec. No. C623M3 Issued Date 2013.03.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.08.12 Page No. 1/8 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -50V IC -2A BTA1797M3 VCESAT(Max) -0.2V Description Low saturation voltage, V = -0.2V(max.) at I /I =-1A/-50mA. CE(SAT) C B High current capability. Excellent DC current gain characteristics. Pb-free

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BTA1640FP, BTA1640I3, BTA1640J3, BTA1640T3, BTA1664L3, BTA1664M3, BTA1721N3, BTA1727L3, TIP31, BTA1759N3, BTA1774C3, BTA1797M3, BTA1900M3, BTA1952E3, BTA1952I3, BTA1952J3, BTA1972K3