Биполярный транзистор BTA1759A3 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BTA1759A3
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BTA1759A3 Datasheet (PDF)
bta1759a3.pdf

Spec. No. : C309A3-R Issued Date : 2003.10.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.06.14 Page No. : 1/6 High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1759A3Description High breakdown voltage. (BV =-400V) CEO Low saturation voltage, typical V = -0.2V at Ic / I = -20mA /-2mA. CE(sat) B Wide SOA (safe operation area). Complementary to BTC4505A3.
bta1759n3.pdf

Spec. No. : C309N3 Issued Date : 2003.05.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.10.19 Page No. : 1/6 High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -400VBTA1759N3IC -0.3AVCESAT(TYP) -0.08VDescription High breakdown voltage. (BV =-400V) CEO Low saturation voltage, typical V =-0.2V at Ic/I =-20mA/-2mA. CE(sat) B Wide SOA (safe operation area).
bta1774c3.pdf

Spec. No. : C306C3 Issued Date : 2004.03.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.11 Page No. : 1/8 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1774C3Description The BTA1774C3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. High HFE and excellent linearity Complementary to BTC4617C3. Pb-free lead pla
bta1797m3.pdf

Spec. No. : C623M3 Issued Date : 2013.03.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.12 Page No. : 1/8 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -50VIC -2ABTA1797M3VCESAT(Max) -0.2VDescription Low saturation voltage, V = -0.2V(max.) at I /I =-1A/-50mA. CE(SAT) C B High current capability. Excellent DC current gain characteristics. Pb-free
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: ZTX1047A | BFJ72 | QST4 | ESM2894 | BU931ZP | 2SD1074 | 2SC2408
History: ZTX1047A | BFJ72 | QST4 | ESM2894 | BU931ZP | 2SD1074 | 2SC2408



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907