Биполярный транзистор BTA1952I3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTA1952I3
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO251
Аналоги (замена) для BTA1952I3
BTA1952I3 Datasheet (PDF)
bta1952i3.pdf
Spec. No. : C601I3 Issued Date : 2005.10.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2009.02.04 Page No. : 1/ 5 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -60VIC -5ABTA1952I3 RCESAT 150m Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.45 V (typical), at IC / IB = -3A / -0.15A Excellent DC current gain characteristics Wide SOA Complementary to BTC5103I3
bta1952j3.pdf
Spec. No. : C601J3 Issued Date : 2004.05.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.03.12 Page No. : 1/6 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -80VIC -5ABTA1952J3 RCESAT 150m Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3 V (typical), at IC / IB = -2A / -0.2A Excellent DC current gain characteristics Wide SOA Complementary to BTC5103J3 R
bta1952e3.pdf
Spec. No. : C601E3-A Issued Date : 2004.09.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/4 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1952E3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.5 V (typical), at IC / IB = -3A / -0.15A Excellent DC current gain characteristics Wide SOA Symbol Outline BTA1952E3 TO-220AB BBase CCollector B C E EEmi
bta1972k3.pdf
Spec. No. : C236K3 Issued Date : 2012.10.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.25 Page No. : 1/6 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1972K3Description High BV CEO High current capability Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline TO-92L BTA1972K3 BBase CCollector EEmitter Ordering Information Device
bta1900m3.pdf
Spec. No. : C314M3 Issued Date : 2007.04.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.07 Page No. : 1/6 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTA1900M3Features Large continuous collector current capability Low collector saturation voltage Pb-free lead plating package Symbol Outline BTA1900M3 SOT-89 BBase CCollector B C E EEm
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050