BTB1205I3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTB1205I3

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 190

Корпус транзистора: TO251

 Аналоги (замена) для BTB1205I3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB1205I3 даташит

 ..1. Size:219K  cystek
btb1205i3.pdfpdf_icon

BTB1205I3

Spec. No. C815I3 Issued Date 2005.03.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.05.02 Page No. 1/ 6 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -20V IC -5A BTB1205I3 RCESAT 127m typ. Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.38 V (typical), at IC / IB = -3A / -60mA Excellent DC current gain characteristics Fast switching speed Large current

 9.1. Size:109K  st
btb12.pdfpdf_icon

BTB1205I3

BTA/BTB12 and T12 Series SNUBBERLESS , LOGIC LEVEL & STANDARD 12A TRIACS MAIN FEATURES A2 Symbol Value Unit IT(RMS) 12 A G VDRM/VRRM A1 600 and 800 V A2 IGT (Q1) 5 to 50 mA DESCRIPTION A1 A2 Available either in through-hole or surface-mount G packages, the BTA/BTB12 and T12 triac series is suitable for general purpose AC switching. They D2PAK can be used as an ON/OFF

 9.2. Size:290K  cystek
btb1236aj3.pdfpdf_icon

BTB1205I3

Spec. No. C315J3 Issued Date 2010.12.31 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -160V IC -1.5A BTB1236AJ3 RCESAT(MAX) 600m Description High BV CEO High current capability RoHS compliant package Symbol Outline BTB1236AJ3 TO-252(DPAK) B Base C Collector E Emitter B C E Ab

 9.3. Size:194K  cystek
btb1236a3.pdfpdf_icon

BTB1205I3

Spec. No. C854A3 Issued Date 2004.07.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.04.27 Page No. 1/6 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1236A3 Description High BV CEO High current capability Pb-free lead plating package Symbol Outline BTB1236A3 TO-92 B Base C Collector E Emitter E C B Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Par

Другие транзисторы: BTB1188M3, BTB1188M3R, BTB1197N3, BTB1198A3, BTB1198K3, BTB1198M3, BTB1198N3, BTB1199M3, 431, BTB1216J3, BTB1236A3, BTB1236AE3, BTB1236AFP, BTB1236AI3, BTB1236AJ3, BTB1236AK3, BTB1236AM3