BTB1236AE3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTB1236AE3

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO220AB

 Аналоги (замена) для BTB1236AE3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB1236AE3 даташит

 ..1. Size:149K  cystek
 btb1236ae3.pdf pdf_icon

BTB1236AE3

Spec. No. C854E3 Issued Date 2004.07.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/4 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1236AE3 Description High BV CEO High current capability Symbol Outline BTB1236AE3 TO-220AB B Base C Collector E Emitter B C E Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limits Unit Collector-

 6.1. Size:290K  cystek
 btb1236aj3.pdf pdf_icon

BTB1236AE3

Spec. No. C315J3 Issued Date 2010.12.31 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -160V IC -1.5A BTB1236AJ3 RCESAT(MAX) 600m Description High BV CEO High current capability RoHS compliant package Symbol Outline BTB1236AJ3 TO-252(DPAK) B Base C Collector E Emitter B C E Ab

 6.2. Size:194K  cystek
 btb1236a3.pdf pdf_icon

BTB1236AE3

Spec. No. C854A3 Issued Date 2004.07.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.04.27 Page No. 1/6 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1236A3 Description High BV CEO High current capability Pb-free lead plating package Symbol Outline BTB1236A3 TO-92 B Base C Collector E Emitter E C B Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Par

 6.3. Size:216K  cystek
 btb1236ai3.pdf pdf_icon

BTB1236AE3

Spec. No. C315I3 Issued Date 2012.01.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/5 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1236AI3 Description High BV CEO High current capability Complementary to BTD1857AI3 RoHS compliant package Symbol Outline BTB1236AI3 TO-251 B Base C Collector E Emitter B C E Absolute Maximum Ra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BTB1198A3, BTB1198K3, BTB1198M3, BTB1198N3, BTB1199M3, BTB1205I3, BTB1216J3, BTB1236A3, MJE350, BTB1236AFP, BTB1236AI3, BTB1236AJ3, BTB1236AK3, BTB1236AM3, BTB1236AT3, BTB1238AL3, BTB1238AM3