Биполярный транзистор BTB1424AD3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTB1424AD3
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 240 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора: TO126ML
Аналоги (замена) для BTB1424AD3
BTB1424AD3 Datasheet (PDF)
btb1424ad3.pdf
Spec. No. : C817D3 Issued Date : 2005.05.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.08.15 Page No. : 1/5 Low V PNP Epitaxial Planar Transistor CE(sat)BTB1424AD3Features Excellent DC current gain characteristics Low Saturation Voltage, V =-0.3V(typ) @I =-2A, I =-100mA. CE(sat) C B Complementary to BTD2150AD3 Pb-free lead plating package Symbol Outl
btb1424at3.pdf
Spec. No. : C817T3 Issued Date : 2005.10.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2014.02.17 Page No. : 1/5 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1424AT3 Features Low VCE(sat), typically -0.3V at IC / IB = -2A / -0.1A Excellent current gain characteristics Complementary to BTD2150AT3 Pb-free lead plating package Symbol Outline BTB1424AT3 TO-12
btb1424a3.pdf
Spec. No. : C817A3-R Issued Date : 2006.05.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date:2008.04.24 Page:1/5 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1424A3 Features Low VCE(sat),typically -0.3 V at IC / IB = -2A / -0.2A Excellent current gain characteristics Complementary to BTD2150A3 Pb-free package Symbol Outline BTB1424A3 TO-92 BBase CCo
btb1424am3.pdf
Spec. No. : C817M3 Issued Date : 2007.01.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.12 Page No. : 1/7 Low V PNP Epitaxial Planar Transistor CE(sat)BVCEO -50VIC -3ABTB1424AM3RCESAT(typ) 0.12 Features Excellent DC current gain characteristics Low Saturation Voltage, V =-0.12V(typ) @I =-1A, I =-50mA. CE(sat) C B Complementary to BTD2150AM3 P
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050