Биполярный транзистор BTB9435L3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTB9435L3
Маркировка: B9435
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора: SOT223
Аналоги (замена) для BTB9435L3
BTB9435L3 Datasheet (PDF)
btb9435l3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C809L3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2009.01.16 Revised Date: Page:1/7 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB9435L3 Features Low VCE(sat) Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline BTB9435L3SOT-223 C E C BBase B CCollector EEmitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) P
btb9435j3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C809J3 Issued Date : 2008.06.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date: 2014.03.25 Page:1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB9435J3 Features Low VCE(sat) Excellent current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline TO-252 BTB9435J3(DPAK) BBase B C E CCollector EEmitter O
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .