BTC1510E3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTC1510E3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BTC1510E3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTC1510E3 даташит

 ..1. Size:227K  cystek
 btc1510e3.pdf pdf_icon

BTC1510E3

Spec. No. C652E3 Issued Date 2004.02.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.05.05 Page No. 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor BTC1510E3 Description The BTC1510E3 is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features High BVCEO Low VCE(SAT) High current gain Monolithic construc

 7.1. Size:172K  cystek
 btc1510fp.pdf pdf_icon

BTC1510E3

Spec. No. C652FP Issued Date 2005.03.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2006.06.02 Page No. 1/5 NPN Epitaxial Planar Transistor BTC1510FP Description The BTC1510FP is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features High BVCEO Low VCE(SAT) High current gain Monolithic construct

 7.2. Size:280K  cystek
 btc1510j3.pdf pdf_icon

BTC1510E3

Spec. No. C652J3 Issued Date 2003.05.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.10.26 Page No. 1/7 NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 150V IC 10A BTC1510J3 RCESAT 220m Description The BTC1510J3 is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features High BVCEO Low VCE(SAT) Hig

 7.3. Size:224K  cystek
 btc1510f3.pdf pdf_icon

BTC1510E3

Spec. No. C652F3 Issued Date 2004.09.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.05.04 Page No. 1/5 NPN Epitaxial Planar Transistor BTC1510F3 Description The BTC1510F3 is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features High BVCEO Low VCE(SAT) High current gain Monolithic construct

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BTB5140N3, BTB5213L3, BTB5240N3, BTB5839M3, BTB9050N3, BTB9435J3, BTB9435L3, BTC945A3, 2N3906, BTC1510F3, BTC1510FP, BTC1510I3, BTC1510J3, BTC1510T3, BTC1806D3, BTC2030A3, BTC2030N3