Биполярный транзистор BTC2059N3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTC2059N3
Маркировка: 3E
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 52
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для BTC2059N3
BTC2059N3 Datasheet (PDF)
btc2059n3.pdf
Spec. No. : C201N3 Issued Date : 2002.05.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2002.10.31 Page No. : 1/4 Gentral Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2059N3 Description The BTC2059N3 is designed for using in VHF & UHF oscillators and VHF mixer in tuner of a TV receiver. Features High transition frequency. ( fT = 1.0GHz, T . @ V =10V, IC=10mA, f=200MHz ) Y
btc2059a3.pdf
Spec. No. : C201A3 Issued Date : 2004.06.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2008.02.29 Page No. : 1/4 VHF/UHF NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2059A3 Description The BTC2059A3 is designed for use in VHF & UHF oscillators and VHF mixer in tuner of a TV receiver. Features High transition frequency. Very low capacitance. Small Rbb-Cc and high curren
btc2030a3.pdf
Spec. No. : C316A3 Issued Date : 2005.10.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.09 Page No. : 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2030A3Features High breakdown voltage, BV 200V CEO Large continuous collector current capability Low collector saturation voltage Complementary to BTA1013A3 Pb-free lead plating package
btc2030n3.pdf
Spec. No. : C316N3 Issued Date : 2008.01.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.31 Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2030N3Features High breakdown voltage, BV 200V CEO Large continuous collector current capability Low collector saturation voltage Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050