BTC2411L3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTC2411L3

Маркировка: 2X

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 230 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9.3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для BTC2411L3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTC2411L3 даташит

 ..1. Size:265K  cystek
 btc2411l3.pdf pdf_icon

BTC2411L3

Spec. No. C203L3 Issued Date 2005.02.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.11.12 Page No. 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2411L3 Description The BTC2411L3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose switching application. High I , I = 0.6A. C(Max) C(Max) Low V , Typ. V = 0.2V at I /I = 500mA/

 7.1. Size:283K  cystek
 btc2411n3.pdf pdf_icon

BTC2411L3

Spec. No. C203N3 Issued Date 2002.05.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.25 Page No. 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2411N3 Description The BTC2411N3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose switching application. High I , I = 0.6A. C(Max) C(Max) Low V , Typ. V = 0.2V at I /I = 500mA/

 7.2. Size:271K  cystek
 btc2411s3.pdf pdf_icon

BTC2411L3

Spec. No. C203S3-R Issued Date 2003.11.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.11.12 Page No. 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2411S3 Description The BTC2411S3 is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-323/SC-70 package which is designed for low power surface mount applications. Low V CE(sat

 7.3. Size:284K  cystek
 btc2411n3g.pdf pdf_icon

BTC2411L3

Spec. No. C203N3G Issued Date 2008.12.26 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2411N3G Description The BTC2411N3G is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose switching application. High I , I = 0.6A. C(Max) C(Max) Low V , Typ. V = 0.4V at I /I = 500mA/50mA.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BTC1510T3, BTC1806D3, BTC2030A3, BTC2030N3, BTC2059A3, BTC2059N3, BTC2383A3, BTC2383K3, MJE340, BTC2411N3, BTC2411N3G, BTC2411S3, BTC2412N3, BTC2655K3, BTC2655S3, BTC2880A3, BTC2880M3