BTC3838N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTC3838N3

Маркировка: 1D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 11 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BTC3838N3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTC3838N3 даташит

 ..1. Size:154K  cystek
 btc3838n3.pdf pdf_icon

BTC3838N3

Spec. No. C206N3 Issued Date 2004.09.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/4 High Frequency Amplifier Transistor (11V, 50mA, 3.2GHz) BTC3838N3 Features High transition frequency, f =3.2GHz(typ.) T Low output capacitance, Cob=0.8pF(typ.) Applications UHF converter. Local oscillator Symbol Outline SOT-23 BTC3838N3 B Base C

Другие транзисторы: BTC2881L3, BTC2881M3, BTC2882J3, BTC2883J3, BTC3097T3, BTC3149E3, BTC3356N3, BTC3415A3, 2SC945, BTC3906L3, BTC3906M3, BTC3906N3, BTC3906N3G, BTC3906S3, BTC4061N3, BTC4081S3, BTC4082S3