Биполярный транзистор BTC4617C3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTC4617C3
Маркировка: BQ_BR_BS
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT523
Аналоги (замена) для BTC4617C3
BTC4617C3 Datasheet (PDF)
btc4617c3.pdf
Spec. No. : C204C3 Issued Date : 2004.03.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.10.27 Page No. : 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC4617C3Description The BTC4617C3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Symbol Outline BTC4617C3 SOT-523 C BBase CCollector EEmitter B E Absolute Maximum Ra
btc4621k3.pdf
Spec. No. : C210K3 Issued Date : 2006.12.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/4 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor BTC4621K3 Features High breakdown voltage. (BV =350V) CEO Low saturation voltage, typically V (sat) =0.1V at I /I 10mA/1mA. CE C B= Pb-free package SymbolBTC4621K3BBase CCollector EEmitter Absolute
btc4620d3.pdf
Spec. No. : C210D3 Issued Date : 2004.09.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2006.04.21 Page No. : 1/4 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor BTC4620D3 Features High breakdown voltage. (BV =350V) CEO Low saturation voltage, typically V (sat) =0.1V at I /I 10mA/1mA. CE C B= Complementary to BTA1776D3 Pb-free package Symbol Outline BTC4620
btc4672m3.pdf
Spec. No. : C819M3 Issued Date : 2005.08.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.08.12 Page No. : 1/6 Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor BTC4672M3Features Low saturation voltage, typically V =0.1V at I /I =1A/50mA CE(sat) C B Excellent DC current gain characteristics Complementary to BTA1797M3 Pb-free lead plating and halogen-free package Sy
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
